- Обращённый диод
-
Обращённый диод — полупроводниковый диод, на свойства которого значительно влияет туннельный эффект в области p-n перехода.[1] В отличие от туннельного диода вольт-амперная характеристика обращённого диода практически не имеет «горба», что обусловлено немного меньшей, чем у туннельного диода, концентрацией примесей в полупроводнике.[2] Из-за неполного легирования обладает значительной температурной зависимостью.[2][3]
Применение
Обращённый диод применяется в высокочастотных схемах детектирования слабых сигналов, а также в смесителях СВЧ сигналов.[1] При этом максимальное рабочее обратное напряжение может лежать в пределах от 0,1 до 0,7 В.
Примечания
Категория:- Полупроводниковые диоды
Wikimedia Foundation. 2010.